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IXTA3N100D2
IXTP3N100D2
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
Fig. 7. Normalized R DS(on) vs. Junction Temperature
V GS = 0V
I D = 1.5A
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Fig. 8. R DS(on) Normalized to I D = 1.5A Value
vs. Drain Current
V GS = 0V
5V - - - -
T J = 125oC
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
4.5
T J - Degrees Centigrade
Fig. 9. Input Admittance
4.0
I D - Amperes
Fig. 10. Transconductance
4.0
V DS = 30V
3.5
V DS = 30V
T J = - 40oC
3.5
3.0
3.0
2.5
25oC
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
125oC
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
1.3
V GS - Volts
Fig. 11. Breakdown and Threshold Voltages
vs. Junction Temperature
10
I D - Amperes
Fig. 12. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
9
V GS = -10V
1.2
1.1
V GS(off) @ V DS = 25V
BV DSX @ V GS = - 5V
8
7
6
5
1.0
0.9
0.8
4
3
2
1
0
T J = 125oC
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
T J - Degrees Centigrade
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V SD - Volts
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